Efecto Hall en Semiconductores | |||
Montaje de la Experiencia
En primer lugar, necesitamos crear un campo magnético, en el
cual colocar la muestra. Para ello usaremos dos bobinas recorridas en sentidos
contrarios por una intensidad IB,
que mediremos con un amperímetro. Sobre los núcleos de cada una de las
bobinas colocaremos una pieza metálica, para "doblar" las
lineas de campo magnético y hacer que los efectos de ambas bobinas se
sumen en la zona en la que se colocará la muestra (ver figura 2).
El sentido del campo resultante dependerá de la dirección
de la intensidad suministrada a las bobinas y del sentido del
arrollamiento de sus espiras (regla de la mano derecha). Supondremos que hemos fijado ambos parámetros de tal forma
que el sentido del campo B sea el indicado en la figura 2. Otras
elecciones del campo B también son posibles, siempre que los campos
creados por cada bobina sean tales que se sumen en el lugar donde va
colocada la muestra. El primer paso que daremos cuando comencemos a tratar los
datos recogidos será deducir una expresión experimental que nos permita
conocer el campo B en el lugar de la muestra en función de la intensidad
que circule por las espiras de las bobinas. Usaremos una muestra de un semiconductor (Ge) de dimensiones
2x1x0.5 Cm, en la que la intensidad circula en el sentido que podemos ver
en el siguiente esquema:
Por otro lado, la muestra estará soldada sobre una placa de
circuito con sendas pistas conectadas a ella, gracias a las cuales,
podremos hacer que una intensidad recorra la muestra, así como medir el
voltaje Hall, UH. Para realizar las mediciones, colocaremos un amperímetro en
serie, de tal forma que podamos conocer la intensidad que circula por la
muestra. También colocaremos un voltímetro de la forma indicada en la
figura 4. Sobre la forma de colocar el voltímetro, debemos notar que
podemos escoger cualquiera de los dos terminales como referencia (potencial
0). La diferencia entre escoger uno u otro residirá en el signo del
voltaje medido.
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